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簡要描述：作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-04-24訪 問 量：3956
作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。
是測試頻率為1MHz的智能化數(shù)字的電容測試儀器，于測試半導體器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量，也可測試其它電容。
面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài)，用數(shù)碼管組成的顯示板，將被測元件的數(shù)值，小數(shù)點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率，電容量是四位讀數(shù)，可分辮到0.01pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。
儀器配有CV-2000型測量座，接插元件靈活，方便可靠。
技術指標 ：
測試信號頻率 1.000MHz±0.01%
測試信號電壓小于或等于100mVrms
電容測量范圍 1.00pF～1000pF
工作誤差±3.0%±2字
直流偏壓 zui大100V
供電電源交流電壓：220V±5%；
頻率： 50Hz±5%；
消耗功率：不大于40W；
工作環(huán)境溫度：0—40℃；
濕度：20%~90%RH 40℃；
